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GlobalFoundries:2019年量产12nm FD-SOI工艺

与三星联手搞定14nm FinFET并获得AMD CPU/GPU全面采纳,又与AMD签订五年晶圆供应合约共同开发7nm工艺,习惯性炸雷的GlobalFoundries最近有点春风得意的感觉,接下来又要进军12nm工艺了,但走的是道路有些特殊:FD-SOI(全耗尽型绝缘层上硅)。

大家都知道,目前半导体工艺已经全面从2D晶体管转向3D晶体管,Intel、台积电、三星以及GF自己都在做。

另一方面,AMD虽然工艺上一直落后,但有个独门秘籍那就是SOI(绝缘层上硅),当年与蓝色巨人IBM合作搞的,可以将工艺提高半代水平,其优秀表现也是有目共睹的。

不过,AMD进入32nm之后就抛弃了SOI,不过独立后的GF一直保留着SOI技术,还收购了IBM的相关技术,后者最新的Power8就是采用22nm SOI工艺制造的。

GF此前已经全球第一家实现22nm FD-SOI(22FDX),号称性能功耗指标堪比22nm FinFET,但是制造成本与28nmm相当,适用于物联网、移动芯片、RF射频、网络芯片等,已经拿下50多家客户,2017年第一季度量产。

现在,GF又宣布了全新的12nm FD-SOI(12FDX)工艺,计划2019年投入量产。

GF表示,12FDX工艺的性能等同于10nm FinFET,但是功耗和成本低于16nm FinFET,相比现有FinFET工艺性能提升15%,功耗降低50%,掩膜成本比10nm FinFET减少40%!

它还将提供业界最广泛的动态电压,通过软件控制晶体管大大提升设计弹性,在高负载时可提供最高性能,静态时则具备更高能效。

该工艺也是针对低功耗平台的,包括移动计算、5G互连、人工智能、自动驾驶等等,中国中科院上海微电子研究所、NXP半导体、VeriSilicon半导体、CEATech、Soitec等都参与了合作。

GF正在德国德累斯顿Fab 1晶圆厂推进12FDX工艺的研发,预计2019年上半年完成首批流片,并在当年投入量产。

简单来说,GF现在是两条腿走路:低功耗方面主打22/12DFX,尤其后者可以替代10nm FinFET;高性能方面直接进军7nm FinFET。

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